Lieferung eines Elektronenstrahllithografie Systems

Elektronenstrahllithografie System zur Nanofabrikation von Strukturen und Bauteilen

Hauptort der Ausführung: DEA23

- System zur Strukturierung Elektronenstrahl-empfindlicher Lackschichten

- Erzeugung einzelner ‚Features‘ mittels Elektronenstrahl Lithographie, die Linienbreiten und Abmessungen im Bereich von 10 nm haben.

- Insbesondere müssen mit dem System großflächige plasmonische sowie photonische Kristalle und Gitter hergestellt werden, um auf Basis dieser Strukturen optische Sensoren zu entwickeln. Hieraus ergibt sich die Notwendigkeit, Features in hochregelmäßigen/ periodischen Mustern über große Fläche zu definieren, wobei regelmäßig auch Flächen größer als 1 mm² aufgebaut werden müssen, und zwar ohne Abstriche bei der geforderten minimalen Linienbreite und Abmessung der Features zu machen (10 nm). Bereits geringste Versatzfehler der periodischen Muster führen zu einer negativen Veränderung der Eigenschaften der erzeugten Strukturen und müssen unbedingt verhindert werden.

- Wir beabsichtigen eine Vielzahl unterschiedlicher Substrat-Materialien und Lackschichten mit der Elektronenstrahllithographie zu bearbeiten. Um in kurzer Zeit die Belichtungsparameter erneut zu optimieren, ist es notwendig, die belichteten und entwickelten Proben mit dem System ebenfalls untersuchen zu können, d.h. Elektronenmikroskopisch abbilden zu können. Dies muss regelmäßig u.a. mit niedriger Elektronenenergie erfolgen können, wobei niedrig unter 0.1keV bedeutet (also z.B. bis hinunter zu 20eV).

- Ebenfalls aus der Verwendung einer Vielzahl unterschiedlicher Materialien sowie auch unterschiedlicher Proben-Geometrien ergibt sich die Notwendigkeit, regelmäßig das Schreibfeld zu drehen, zu skalieren oder relativ zu seiner „Normal-Null“ Position zu verschieben. Die Kalibration des Schreibfeldes bzgl. Shift, Rotation und Skalierung darf daher keinen Einfluss auf die Auflösung der Belichtung haben.

- Weiterhin die Notwendigkeit einer hochgenauen Positionierung der Probe sowie eines hochgenauen Auslesens der Position der Probe. Zweckmäßigerweise erfolgt dies über die Einstellung / das Auslesen der Position des Verschiebetisches. Eine Positionsauflösung von 1 nm oder besser ist regelmäßig erforderlich.