Beschreibung der Beschaffung
1 Stück Beschichtungsanlage Wir konzentrieren uns bei unserer Suche auf ein gutes ISO9001-zertifiziertes 200-mm-System, das in der Lage ist, Al2O3-, SiO2-, High-k- und Metallnitride gemäß PEALD gemäß diesem Dokument abzuscheiden. Wir erwarten ein PEALD-Kit für das System, das eine schnelle Gasumschaltung ermöglicht. Es ist auch wichtig, dass die Ausgasung von Kammerwänden während der Verarbeitung im PEALD-Modus minimiert wird. Deshalb spezifizieren wir einen Heißwandreaktor mit Wandtemperaturen von bis zu 450 o C. Wir möchten die Probentemperatur in einem weiten Temperaturbereich steuern (von Raumtemperatur bis zu erhöhten Temperaturen, Temperaturbereich von 30 o C bis +450 o C). Wir legen Wert auf Kammerreinheit, um die Prozessstabilität und Reproduzierbarkeit zu erreichen. Dazu betrachten wir einen Heißwandreaktor und eine effiziente Kammerreinigung. Wir erwarten eine ladbare Wafergröße von mindestens 200 mm. Wir betrachten die folgenden Gase: Ar, N2, O2, O3, H2, NH3. Eine Option für die In-situ-Ellipsometrie (hierfür benötigen wir 2 gekippte optische Ports) ist erforderlich. Wir benötigen eine halbautomatische Lastsperre im System mit manueller Beladung der Wafer mit einer Vakuumzange. Das Werkzeug wird im Reinraum des Fraunhofer IKTS in Dresden (Winterbergstraße 28) installiert und erleichtert.