Beschreibung der Beschaffung
Beschichtungsanlage für Bauelemente und Schaltungen aus III/V-Halbleitern. Die Beschichtungsanlage soll in der Lage sein, dünne Vielschichtsysteme auf III/V Halbleiterwafern mit einem Durchmesser von bis zu 3" abzuscheiden. Die Anlage wird für bis zu 3" große Substrate aus Verbindungshalbleiter eingesetzt. Das Konzept der Anlage ist in Abb. 1 dargestellt. Es sollen 2 unterschiedliche Technologien in separaten Kammern angeboten werden:
— Die anisotrope Abscheidung aus einer Punktquelle für Lift-Off Strukturierung mittels tiefer sub-mikron Fotolackstrukturen erfolgt mittels Aufdampftechnik und zur Erhöhung der Oberflächenkontrolle mittels vorgeschalteter Präparationskammer,
— Die isotrope Abscheidung aus einer großflächigen Quelle für konforme und effiziente Bedeckung von Kanten erfolgt mittels Zerstäubungstechnik (Sputtern).
Näheres entnehmen Sie bitte der Leistungsbeschreibung.