Kurze Beschreibung
Das Leibniz-Institut für Photonische Technologien e.V. schreibt eine Beschichtungsanlage für die Abscheidung von metallischen sowie dielektrischen und nitridischen Schichten aus.
Die ausgeschriebene Anlage soll zur Schichtabscheidung von ein- und mehrlagigen Funktionsmaterialien mit Schichtdicken von 1 nm bis 5 µm eingesetzt werden, welche ohne Vakuumunterbrechung insitu hergestellt werden können.
Als Prozesse müssen in dieser Anlage ALD-Verfahren (Atomlagenabscheidung, auch plasmagestützt als PE-ALD) und PVD-Verfahren (physikalische Gasphasenabscheidung, Bedampfung) für Beschichtungen von diversen Funktionsschichten mit Schichtdicken (ds) von 1nm ≤ ds ≤ 500 nm, zur Verfügung stehen. Es ist zudem gefordert, SiO2, SixNy und SiOxNy auch mit höheren Wachstumsraten (GR≥10 nm/min) als die üblichen ALD-Verfahren, pinholefrei und für Schichtdicken (ds) im Bereich von 100 nm ≤ ds ≤ 5 µm zu realisieren.