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1. Beschaffer
1.1.
Beschaffer
Offizielle Bezeichnung: Technische Universität Wien
Rechtsform des Erwerbers: Einrichtung des öffentlichen Rechts
Tätigkeit des öffentlichen Auftraggebers: Bildung
2. Verfahren
2.1.
Verfahren
Titel: Metall-Atomlagenabscheidungsanlage für hochreine Metall Schichten insbesondere Titannitrid-Schichten
Beschreibung: Metall-Atomlagenabscheidungsanlage für hochreine Metall Schichten insbesondere Titannitrid-Schichten
Kennung des Verfahrens: d77721b9-74eb-4fb4-ba8d-67f5456f6d2b
Interne Kennung: 26300.02-076-2026
Verfahrensart: Verhandlungsverfahren ohne Aufruf zum Wettbewerb
2.1.1.
Zweck
Art des Auftrags: Lieferleistungen
Haupteinstufung (cpv): 31640000 Maschinen, Apparate und Geräte mit eigener Funktion
2.1.4.
Allgemeine Informationen
Rechtsgrundlage:
Richtlinie 2014/24/EU
5. Los
5.1.
Los: LOT-1457
Titel: Metall-Atomlagenabscheidungsanlage
Beschreibung: Metall-Atomlagenabscheidungsanlage
Interne Kennung: 1
5.1.1.
Zweck
Art des Auftrags: Lieferleistungen
Haupteinstufung (cpv): 31640000 Maschinen, Apparate und Geräte mit eigener Funktion
5.1.2.
Erfüllungsort
Land, Gliederung (NUTS): Wien (AT130)
Land: Österreich
5.1.3.
Geschätzte Dauer
Datum des Beginns: 21/09/2026
Laufzeit: 6 Monate
5.1.6.
Allgemeine Informationen
Auftragsvergabeprojekt nicht aus EU-Mitteln finanziert
Die Beschaffung fällt unter das Übereinkommen über das öffentliche Beschaffungswesen: ja
5.1.7.
Strategische Auftragsvergabe
Konzept zur Verringerung der Umweltauswirkungen: Die nachhaltige Nutzung und Schutz von Wasser- und Meeresressourcen
Gefördertes soziales Ziel: Zugang für alle
5.1.16.
Weitere Informationen, Schlichtung und Nachprüfung
Überprüfungsstelle: Bundesverwaltungsgericht
6. Ergebnisse
Wert aller in dieser Bekanntmachung vergebenen Verträge: 500 000,00 EUR
Direktvergabe:
Begründung der Direktvergabe: Der Auftrag kann aufgrund von Ausschließlichkeitsrechten, darunter von Rechten des geistigen Eigentums, nur von einem bestimmten Wirtschaftsteilnehmer ausgeführt werden
Sonstige Begründung: Die TU Wien beschafft eine Metall-plasmaunterstützte-Atomlagenabscheidungsanlage zur Abscheidung von hochreinen Titannitrid-Schichten (TiN) sowie Ozon unterstützten Hf0.5Zr0.5O2 Schichten und daraus hergestellten Nanolaminaten. Diese hochspezialisierte Forschungs-Abscheideanlage für Halbleiterproben (insb. beschichtete Si-, Ge- und III-V-Verbindungshalbleiter) von 1x1 cm Größe bis bis hin zu Halbleiterwafern mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm ermöglicht die Herstellung von Dünnschichten mit Schichtdicken ab ein Nanometer mit exzellenter Konformität, ultrahohe Reinheit und präzise Kontrolle der Materialzusammensetzung. Die Anlage soll im ZMNS Reinraum der ISO-Klasse 5 (DIN EN ISO 14644-1) installiert und betrieben werden. Das Gerät soll über eine 200mm –Wafer-Schleusse verfügen und je nach Anforderungen sowohl als plasmaunterstützte Atomlagenabscheidung bis 400°C als auch als thermische Atomlagenabscheidung bis 500°C umkonfiguriert und betrieben werden können. Zudem soll es die Nutzung der Präkursoren NH3 und SiCl4 für die TiN-Abscheidung ermöglichen. Aus prozesstechnischen und laufenden Kostengründen muss die Anlage mit der im Institut E362 bestehenden Beneq-TFS200-Anlage zwingend kompatibel sein. Insbesondere muss eine einfache Austauschbarkeit der Container für Flüssigpräkursoren zwischen den Anlagen möglich sein und die Verwendung des Plasmakopfes der neuen Anlage auf der bestehenden Anlage muss mit geringem Aufwand sichergestellt werden. Des weiteren ist ein Nachweis der hohen Reinheit und Qualität der thermisch erzeugten TiN-Schichten mit Schichtdicken unter 50nm mit äquivalenten Geräten erforderlich: ein spezifischer Widerstand ρ ≤ 100 µΩ *cm bzw. ein spezifischer Flächenwiderstand RS ≤ 20 Ω /Square und eine Schichtdickenhomogenität von kleiner als 4% in der 1σ Standardabweichung über den gesamten 200-mm-Wafer (exklusive 5mm Randausschluss) bei Raumtemperatur. Des Weiteren ist der Nachweis erforderlich, dass die TiN-Schichten eine Supraleitung mit einer Sprungtemperatur Tc bei Onset bei 3,8 K bis Stabilisierung bei 2,5 K und den Meissner-Effekt aufweisen. Die Firma Beneq Oy hat mit einem äquivalenten System den Nachweis über die Reinheit, Qualität und Reproduzierbarkeit der Schichten erbracht. Für Al2O3 soll die Schichtdickenhomogenität über den 200-mm-Wafer <1% in der Standardabweichung 1σ (exklusive 5 mm Randausschluss) betragen. Die Beneq TFS 200 ist eine modulare Atomlagenabscheidungsanlage, welche sowohl thermische als auch Plasma-unterstützte Atomlagenabscheidungsprozesse in einem Gerät vereint. Die Beneq TFS 200 ist die einzige auf dem Markt erhältliche Anlage, die alle folgenden erforderlichen Merkmale erfüllt: 1. Kompatibilität mit dem bestehenden Beneq-TFS200-System des Instituts E362. Dadurch können im Dauerbetrieb erhebliche Kosten gespart werden. Zudem wird eine höhere Portabilität und Reproduzierbarkeit bereits vorhandener Prozesse, Rezepte und Reinigungsschritte zwischen den Anlagen erreicht. Darunter ist eine flexible und einfache Austauschbarkeit der anlagenspezifisch befüllten Flüssigpräkursor-Container ohne den Einsatz einer Glovebox zwischen den Anlagen möglich. Somit können die Präkursorenkosten laufend gesenkt und die Reproduzierbarkeit der Prozesse zwischen den Anlagen gewährleistet werden. Die anlagenspezifischen Flüssigpräkursor-Container wurden von Beneq entwickelt und werden nicht von anderen Firmen hergestellt oder vertrieben. 2. Kompatibilität des Plasmakopfes der neuen Anlage mit der bestehenden Anlage mit leichter Anpassung der Gas- und elektrischen Leitungen. Somit erhöht sich weiter die Portabilität der Prozesse. Kompatibilität mit bestehenden RF Generator und Match-Einheit. 3. Kompatibilität von Ersatzteilen, um Kosten zu sparen. Die Anlagen sind einfacher zu nutzen und zu Schulen für technisches und wissenschaftliches Personal. 4. Wiederverwendung von Rezepten mit geringen Modifikationen zwischen den Anlagen. 5. Aufbau des Reaktors als Heißwandreaktor innerhalb einer wassergekühlten Kammer. Damit wird eine homogene Wärmeverteilung gewährleistet, was zu einer höheren Prozessreprodizierbarkeit führt. Zudem wird eine Kondensation von TiCl₄ und NH3 sowie die korrosive HCl-Bildung in den inneren Reaktorwänden vermieden. Die Heißwandreaktorwände und Substrat sind zur Reinigung einfach abbaubar und umtauschbar. 6. Für die thermische Atomlagenabscheidung bis zu einer Substratgröße von 200mm Wafer sind die innere-Kammerwände und der Substrathalter aus Titan ausgelegt. Damit ist eine hochreine thermische TiN-Abscheidung mit TiCl₄ und NH₃ bis Substrattemperaturen von bis zu 500°C möglich. Im Gegensatz zu herkömmlichen Systemen mit Reaktorwänden aus Aluminium oder Edelstahl wird eine latente Kontamination der TiN-Schichten durch die Reaktion von Präkursoren und/oder Zwischenprodukten mit der inneren Kammerwand unterdrückt. 7. Möglichkeit, das Gerät künftig mit zwei beheizten Präkursorenquellen auf bis zu 500 °C aufzurüsten. Die Firma Beneq Oy hat dieses TFS 200 Gerät selbst entwickelt und stellt es auch selbst her. Das Gerät wird direkt vom Hersteller bestellt, geliefert und vorort im Betrieb genommen. Zusammenfassend kann eine Metall-Atomlagenabscheidungsanlage mit diesen Anforderungen ausschließlich von der Firma Beneq Oy, 02200 Espoo, Finland beschafft werden.
6.1.
Ergebnis, Los-– Kennung: LOT-1457
6.1.2.
Informationen über die Gewinner
Wettbewerbsgewinner:
Offizielle Bezeichnung: Beneq Oy
Angebot:
Kennung des Angebots: 1
Kennung des Loses oder der Gruppe von Losen: LOT-1457
Wert des Angebots: 500 000,00 EUR
Das Angebot wurde in die Rangfolge eingeordnet: nein
Vergabe von Unteraufträgen: Nein
Informationen zum Auftrag:
Kennung des Auftrags: 1
Titel: Metall-Atomlagenabscheidungsanlage für hochreine Metall Schichten insbesondere Titannitrid-Schichten
Datum der Auswahl des Gewinners: 08/09/2026
8. Organisationen
8.1.
ORG-1882
Offizielle Bezeichnung: Technische Universität Wien
Registrierungsnummer: 9110007633536
Postanschrift: Gußhausstraße 25-25a
Stadt: Wien
Postleitzahl: 1040
Land, Gliederung (NUTS): Wien (AT130)
Land: Österreich
Telefon: +43 15880136240
Rollen dieser Organisation:
Beschaffer
8.1.
ORG-6626
Offizielle Bezeichnung: Bundesverwaltungsgericht
Registrierungsnummer: 9110008059823
Postanschrift: Erdbergstraße 192-196
Stadt: Wien
Postleitzahl: 1030
Land, Gliederung (NUTS): Wien (AT130)
Land: Österreich
Telefon: +43 160149
Rollen dieser Organisation:
Überprüfungsstelle
8.1.
ORG-3876
Offizielle Bezeichnung: Beneq Oy
Registrierungsnummer: Beneq Oy
Stadt: Olarinluoma 9
Postleitzahl: 02201
Land, Gliederung (NUTS): Helsinki-Uusimaa (FI1B1)
Land: Finnland
Kontaktperson: Kari Koski
Telefon: +358 44 709 7412
Rollen dieser Organisation:
Bieter
Gewinner dieser Lose: LOT-1457
Informationen zur Bekanntmachung
Kennung/Fassung der Bekanntmachung: e7161b10-0de4-4b44-831f-54d9fb492e64 - 01
Formulartyp: Vorankündigung – Direktvergabe
Art der Bekanntmachung: Freiwillige Ex-ante-Transparenzbekanntmachung
Unterart der Bekanntmachung: 25
Datum der Übermittlung der Bekanntmachung: 08/09/2026 13:33:00 (UTC+02:00) Osteuropäische Zeit, Mitteleuropäische Sommerzeit
Sprachen, in denen diese Bekanntmachung offiziell verfügbar ist: Deutsch
Veröffentlichungsnummer der Bekanntmachung: 622360-2026
ABl. S – Nummer der Ausgabe: 174/2026
Datum der Veröffentlichung: 09/09/2026