Beschreibung der Beschaffung
Kurzbeschreibung Multifunktionale Beschichtungsanlage mit modernster Quellentechnologie (Arc, HIPIMS, PA-CVD, Ionenquelle). Geforderte Kernkomponenten der Anlage: -Probenheizer bis 250 °C Substrattemperatur für Precleaning -PACVD-Beschichtungsquelle -2 x HiPIMS-Quellen HiPIMS peak current > 1 A/cm²; peak voltage > 1kV; umschaltbar auf HF > 5W/cm² / DC > 6W/cm²; -Ionenquelle/Ionenätzer zur Substratreinigung und ionengestützter Abscheidung (IBAD) -1 x ARC-Quelle -Mindestens 1 Position als 'Reserve', nachrüstbar mit weiterer Quelle -Heizer an einer Magnetron-Quellenposition, Tmax >= 800 °C am Substrat -Einlass für Reaktivgase O2, N2, CH4, H2 -Downstream-Druckregelung über Schieberventil -Prozesskontrolle: glasfaserspektrometrische Beobachtung der Plasmaentladung o.ä., Sichtfenster für optische Beobachtung -Separate Kammer für Schichtanalytik über Ramananalyse, XPS-Analyse o.Ä. (die Analytik selbst ist nicht Bestandteil der Ausschreibung) -Umfangreiche Möglichkeiten zum Substrathandling -Substrat HF-biasfähig, Flächenleistung > 0,5 W/cm² -Software/Steuerung: Erfassung aller relevanten Prozessparameter (Druck- Leistung, Temperatur, etc.); Erzeugung Datenfiles als Excel o.ä.; grafische Darstellung, Schnittstelle der Steuerung zu z.B. Labview