Beschreibung der Beschaffung
1 Stück reaktives Ionenätzwerkzeug (RIE) für Dielektrika und Metalle
Optional: Die Kontaktpunkte aller Werkzeugteile, die die Waferrückseite berühren, müssen eine Kontaktfläche von mehr als 14 mm2 haben, um ein Durchstechen aktiver Strukturen (z. B. Membranen) auf der Waferrückseite zu vermeiden, und sollten eine der in Anhang 6.1 beschriebenen Optionen sein.
Bitte geben Sie eine Skizze aller tatsächlichen Kontaktpunkte des angegebenen Werkzeugs an. Im Mainframe sollte es zusätzlich möglich sein, auch vollständig transparente Wafer auszurichten und auszurichten.Wenn eine solche Funktion angeboten werden kann, wird sie als Option aufgeführt.Für die Waferspezifikation – Verarbeitung von Quarzwafern gemäß den genannten Spezifikationen.
Bitte stellen Sie uns ein Angebot für alle in der folgenden Tabelle aufgeführten optionalen Funktionen, die fakultativ mit dem Gerät bestellt werden können,zur Verfügung:
1. Satz Verbrauchsmaterialteile (O-Ringe, Ventile usw.) zur Abdeckung der Garantiezeit,
2. SBC – Single Board Computer (neu, 2nd),
3. Transparent Wafer Orienter Kit - zum zuverlässigen Ausrichten von vollständig / halbtransparenten Wafern,
4. Fernbedienung für die Automatisierung der Betriebsautomatisierung Hochladen / Herunterladen, um Bedienungsfehler zu vermeiden (z. B. in Kombination mit einem Barcode-Leser),
5. Erweiterte Kammer für Ersatzprozess-Kits – Metal DPS R1,
6. Erweiterte Kammer für Ersatzprozess-Kits – ASP+,
7. Erweiterte Kammer für Ersatzprozess-Kits – eMxP+,
8. Ende der Garantieprüfung und -wartung (sollte bei Auswahl eines Wartungsvertrags berücksichtigt werden),
9. Wartungsvertrag für ein Jahr mit 1 Woche / 32 Stunden einmal im Monat,
10. Instandhaltungsschulung nach Fraunhofer ENAS bewertet Anforderungen 4 Wochen für maximal 4 Ingenieure (6 x 3 Tage vor Ort bei Fraunhofer ENAS), 11. Prozessschulung 2 Wochen für maximal 4 Ingenieure (vor Ort bei Fraunhofer ENAS),
12. Tier III Kundenprozessübertragung 2 Wochen Prozessunterstützung vor Ort,
13. Getrennte Temperaturregelung für eMxP + für Kathode und Wand im Bereich von 10 o C. - 45 oC.