16 false true https://vergabe.fraunhofer.de/ ORG-7001 Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12 Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12 Hansastraße 27c München 80686 DE212 DEU DE 129515865 Einkauf Betrieb und Infrastruktur +49891205-0 einkauf@zv.fraunhofer.de ORG-7004 Vergabekammern des Bundes Vergabekammern des Bundes Kaiser-Friedrich-Straße 16 Bonn 53113 DEA22 DEU t:022894990 +49 228 9499-0 vk@bundeskartellamt.bund.de https://www.fraunhofer.de ORG-7005 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Hansastraße 27c München 80686 DE212 DEU DE-129515865 +49 89 1205-0 einkauf@zv.fraunhofer.de ORG-7006Datenservice Öffentlicher Einkauf (in Verantwortung des Beschaffungsamts des BMI)Datenservice Öffentlicher Einkauf (in Verantwortung des Beschaffungsamts des BMI)Bonn53119DEA22DEU0204:994-DOEVD-83+49228996100noreply.esender_hub@bescha.bund.de 00800897-2025233/20252025-12-03+01:00 2.3 eforms-sdk-1.13 eforms-sdk-1.13 78dafdba-317d-4683-8068-72628aff83ef 921b6280-68ce-4c6f-b4af-1a6f02706fc5 2025-12-01+01:00 16:18:30+01:00 01 2025-12-01+01:00 32014L0024 cn-standard DEU ENG https://vergabe.fraunhofer.de/NetServer/ pub-undert gen-pub ORG-7001 ted-esenORG-7006 vgv epo-notice epo-procurement-document epo-sub-espd exg-sitn-other exg-crim-corrpt exg-crim-part exg-mis-distortion exg-mis-bre-env-law exg-crim-laund exg-crim-fraud exg-crim-traffick exg-sitn-insolvency exg-mis-bre-lab-law exg-sitn-liq-admin exg-mis-misrepresent exg-mis-partic-confl exg-mis-prep-confl exg-mis-misconduct exg-mis-sanction exg-mis-bre-soc-law exg-pmt-bre-ssc exg-sitn-as-susp exg-pmt-bre-tax exg-crim-terror exg-natl-bre-nat-law Es gelten alle einschlägigen zwingenden wie fakultativen Ausschlussgründe, die durch nationales Recht normiert sind. All relevant mandatory and optional grounds for exclusion stipulated by national law apply. neg-w-call false PR1097493-3460-P Fully Automated Wafer Cleaning Tool (IZM-130) - PR1097493-3460-P Fully Automated Wafer Cleaning Tool (IZM-130) - PR1097493-3460-P Fully Automated Wafer Cleaning Tool (IZM-130) Fully Automated Wafer Cleaning Tool (IZM-130) supplies 31712100 Reinraum - tbd nach Zuschlagserteilung & Absprache mit FhI Clean room - to be determined after contract award and consultation with FhI Ringstr. 12 Dresden-Moritzburg 01468 DED2E DEU LOT-0000 slc-abil-ref-work Referenzen von mindestens 3 vergleichbaren Projekten (Kurzbeschreibung Gerät, Kundennennung), nicht älter als aus dem Jahr 2022 *** ACHTUNG *** Sollten Sie aus datenschutzrechtlichen Gründen Ihre Ansprechpartner nicht benennen dürften, so kategorisieren Sie bitte Ihren Auftragsgeber (Forschung, Industrie, andere öffentliche Auftragsgeber) und bestätigen Sie, dass Ihre Referenzen mit der ausgeschriebenen Leistung vergleichbar sind. References from at least 3 comparable projects (brief description of the device, customer name), not older than 2022 *** ATTENTION *** If you are not permitted to name your contacts for data protection reasons, please categorise your client (research, industry, other public clients) and confirm that your references are comparable to the service advertised. slc-abil-staff-yrly-avg-mp Darstellung der Firma: Mindestangaben: Gründungsjahr, wichtige Meilensteine des Unternehmens, Anzahl der Mitarbeiter, was wird hergestellt / welche Leistungen werden erbracht -> Alle Angaben bitte in Textform; KEINE Links oder Bilder. Company profile: Minimum information: Year of establishment, important milestones in the company's history, number of employees, what is manufactured/what services are provided -> Please provide all information in text form; NO links or images. slc-stand-other 1. Eigenerklärung über das Nichtvorliegen von Ausschlussgründen nach § 123 und § 124 GWB 2. Eigenerklärung-Selfdeclaration (EU) Nr. 833/2014 1. Self-declaration regarding the absence of grounds for exclusion pursuant to Sections 123 and 124 of the German Act against Restraints of Competition (GWB) 2. Self-declaration (EU) No. 833/2014 slc-stand-ratio Umsatz der letzten 3 Geschäftsjahre Turnover of the last 3 financial years. false false not-allowed eu-funds not-requ false allowed DEU TenderDoc non-restricted-document https://vergabe.fraunhofer.de/NetServer/TenderingProcedureDetails?function=_Details&TenderOID=54321-Tender-19a72166664-20e53affba137fa2 epo-notice epo-procurement-document late-all Siehe Vergabeunterlagen See procurement documents none no performance Bei evtl. Einsatz von Nachunternehmern sind diese zu benennen, ihre Eignung ist ebenfalls anhand der unter "Ausschreibungsbedingungen" aufgeführten Eignungskriterien nachzuweisen. Ferner ist zu bestätigen, dass sie im Auftragsfall zur Verfügung stehen; deren Anteil am Umfang des Auftragsgegenstandes ist darzulegen. In the event that subcontractors are used, they must be named and their suitability is likewise to be substantiated on the basis of the listed documents under "Tendering terms". Furthermore, it must be confirmed that they will be available if the order is placed; their share in the scope of the contractual object must be stated. allowed not-allowed false per-exa 65.00 quality Technische Ausführung Technical Specification Technische Ausführung Technical Specification per-exa 35.00 price Preis Price Bewertet wird der Gesamtpreis inkl. aller Nebenkosten über die Laufzeit Price ORG-7001 https://vergabe.fraunhofer.de Ein Nachprüfungsantrag ist unzulässig, soweit mehr als 15 Kalendertage nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen, vergangen sind (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 4 GWB). Ein Nachprüfungsantrag ist zudem unzulässig, wenn der Zuschlag erfolgt ist, bevor die Vergabekammer den Auftraggeber über den Antrag auf Nachprüfung informiert hat (§§ 168 Abs. 2 Satz 1, 169 Abs. 1 GWB). Die Zuschlagserteilung ist möglich 15 Kalendertage nach Absendung der Bieterinformation nach § 134 Abs. 1 GWB. Wird die Information auf elektronischem Weg oder per Fax versendet, verkürzt sich die Frist auf zehn Kalendertage (§ 134 Abs. 2 GWB). Die Frist beginnt am Tag nach der Absendung der Information durch den Auftraggeber; auf den Tag des Zugangs beim betroffenen Bieter und Bewerber kommt es nicht an. Die Zulässigkeit eines Nachprüfungsantrags setzt ferner voraus, dass die geltend gemachten Vergabeverstöße 10 Kalendertage nach Kenntnis gegenüber dem Auftraggeber gerügt wurden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 1 GWB). Verstöße gegen Vergabevorschriften, die aufgrund der Bekanntmachung erkennbar sind, müssen spätestens bis zum Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 2 GWB) . Verstöße gegen Vergabevorschriften, die erst in den Vergabeunterlagen erkennbar sind, müssen spätestens bis zum Ablauf der Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 3 GWB). Applications for review are not permitted if more than 15 calendar days have passed since receipt of notification from the contracting authority that it is unwilling to redress an objection (section 160 (3) sentence 1 no. 4 of the German Competition Act (Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen, GWB)). Additionally, applications for review are not permitted if an award has been made before the public procurement tribunal has informed the contracting authority about the application for review (sections 168 (2) sentence 1 and 169 (1) GWB). Contracts may be awarded 15 calendar days after the tenderer information pursuant to section 134 (1) GWB has been sent. If the information is sent electronically or by fax, the period shall be reduced to ten calendar days (section 134 (2) GWB). The period shall begin on the day after which the contracting authority sends the information; the date of receipt by the tenderer and candidate in question shall be irrelevant. The admissibility of a review application also requires that the applicant notified the contracting authority about the claimed violations of public procurement provisions within ten calendar days of becoming aware of them (section 160 (3) sentence 1 no. 1 GWB). Violations of public procurement provisions which become apparent from the tender notice must be notified to the contracting authority by the end of the time limit for the application or the submission of a tender specified in the notice (section 160 (3) sentence 1 no. 2 GWB). Violations of public procurement provisions which only become apparent from the procurement documents must be notified to the contracting authority by the end of the time limit for the application or the submission of a tender (section 160 (3) sentence 1 no. 3 GWB). ORG-7005 ORG-7004 DEU false false allowed false true 2026-01-16+01:00 2026-01-07+01:00 08:30:00+01:00 false 3 false none none LOT-0000 Fully Automated Wafer Cleaning Tool (IZM-130) - PR1097493-3460-P Fully Automated Wafer Cleaning Tool (IZM-130) - PR1097493-3460-P 1x Fully Automated Wafer Cleaning Tool Die folgende Gerätespezifikation definiert ein vollautomatisches Nasswerkzeug zur Reinigung und optionalen Ätzung von Wafer-Substraten. Das neue Gerät erweitert das Prozessportfolio um verschiedene Reinigungstechnologien zur Entfernung organischer und anorganischer Verunreinigungen für Anwendungen wie die Reinigung von TSVs mit hohem Aspektverhältnis (bis zu 25:1), die Dekontamination der Vorder- und Rückseite für ultrahochdichte BEOL wie Verdrahtungen oder für Stapeltechnologien mit Cu/Cu-Hybridverbindungen mit Strukturgrößen im Sub-µm-Bereich. Die Anforderungen an die Dekontamination und Sauberkeit der Waferoberfläche erfordern eine Partikelkontrolle auf weniger als 1 μm Größe, eine metallische Oberflächenverunreinigung von weniger als 10^9 Atomen/cm^2 und eine Oberflächenrauheit von weniger als 5 Å. Das Gerät ist mit 3D-Waferstapeln mit hoher Verformung/Wölbung kompatibel. Die Wafer-Substrate bestehen aus Silizium und/oder Glas, haben einen Durchmesser von 200 oder 300 mm und eine Dicke von bis zu 2,5 mm. Vor dem Prozess werden die Wafer in Front Opening Unified Pods (FOUPs) zum Gerät transportiert, die vom Bediener manuell auf die jeweiligen Ladeöffnungen gesetzt werden. Das neue Gerät muss in der Lage sein, die folgenden Schritte vollautomatisch auszuführen: • Entladen der vorgesehenen Wafer aus dem FOUP • Wenden der Wafer • Durchführen der Nassprozesse • Entladen der Wafer zurück in ihre Ausgangsposition im FOUP Die Programmierung von Rezepturen muss innerhalb eines angemessenen Bereichs von Optionen und Parametern möglich sein, wie es für Forschung und Entwicklung (F&E) erforderlich ist. Es muss ein Sicherheitsschrank für das Mischen und die Lagerung aller erforderlichen Nasschemikalien vorhanden sein. Optionale Features: - Ausgedünnter Waferdickenbereich von 200 und 300 mm (Si oder Glas): 300 ... 600 µm (LV-Pos 1.19) - Extremer Verzugs- und Wölbungsbereich 1500 .. 2500 µm (LV-Pos 1.23) - Option: Anorganischer Ätzprozess für Metall- und Oxidschichten (LV-Pos 2.22) - Megasonic oder ähnliche Energie als Option (LV-Pos 2.58) - Einzelwafer-Sprühverfahren (LV-Pos 2.59) - Einstellbare Sprühdüsen/Arm zur Optimierung der Ätzgleichmäßigkeit (LV-Pos 2.60) - Optische Endpunkterkennung (LV-Pos 2.61) - Schneller Spin-Wafer-Chuck (einstellbar) bis zu 2000 U/min (LV-Pos 2.62) - Chemikalien: Zweikomponentenmischung und mit CO2 beladenes DI-Wasser (LV-Pos 2.63) - 10-Liter-Innentanks mit Einzel-/Rückgewinnungsmodus (LV-Pos 2.64) - Überlaufschutz (LV-Pos 2.65) - Sicherheitsschrank für Lagerung, Mischung und Nachfüllung der beiden Komponenten (LV-Pos 2.66) - Reines DI-Wasser (LV-Pos 2.67) - Trockenverfahren (LV-Pos 2.68) - 10 x 300 mm Wafer Siliziumoxid-Ätzen ohne Rückstände (Ätzrate > 0,1 µm/min für Siliziumdioxid, Ätzgleichmäßigkeit < 5 % 1 Sigma) (LV-Pos 3.25) 1x Fully Automated Wafer Cleaning Tool The following device specification defines a fully automated wet tool for cleaning and optional etching of wafer substrates. The new device expands the process portfolio with various cleaning technologies for removing organic and inorganic contaminants for applications such as cleaning TSVs with high aspect ratios (up to 25:1), front and back decontamination for ultra-high-density BEOL such as wiring or for stacking technologies with Cu/Cu hybrid connections with sub-µm structure sizes. The requirements for decontamination and cleanliness of the wafer surface necessitate particle control to less than 1 μm in size, metallic surface contamination of less than 10^9 atoms/cm^2, and surface roughness of less than 5 Å. The device is compatible with 3D wafer stacks with high deformation/warpage. The wafer substrates are made of silicon and/or glass, have a diameter of 200 or 300 mm and a thickness of up to 2.5 mm. Before the process, the wafers are transported to the device in front opening unified pods (FOUPs), which are manually placed on the respective loading openings by the operator. The new device must be capable of performing the following steps fully automatically: • Unloading the designated wafers from the FOUP • Turning the wafers • Performing the wet processes • Unloading the wafers back into their original position in the FOUP The programming of recipes must be possible within a reasonable range of options and parameters, as required for research and development (R&D). A safety cabinet must be available for mixing and storing all necessary wet chemicals. Optional features: - Thinned wafer thickness range of 200 and 300 mm (Si or glass): 300 ... 600 µm (LV item 1.19) - Extreme warpage and bow range 1500 .. 2500 µm (LV item 1.23) - Option: Inorganic etching process for metal and oxide layers (LV item 2.22) - Megasonic or similar energy as an option (LV item 2.58) - Single wafer spray process (LV item 2.59) - Adjustable spray nozzles/arm for optimising etching uniformity (LV item 2.60) - Optical end point detection (LV item 2.61) - Fast spin wafer chuck (adjustable) up to 2000 rpm (LV item 2.62) - Chemicals: two-component mixture and CO2-charged DI water (LV item 2.63) - 10-litre internal tanks with single/recovery mode (LV item 2.64) - Overflow protection (LV item 2.65) - Safety cabinet for storage, mixing and refilling of the two components (LV item 2.66) - Pure DI water (LV item 2.67) - Dry process (LV item 2.68) - 10 x 300 mm wafer silicon oxide etching without residues (etching rate > 0.1 µm/min for silicon dioxide, etching uniformity < 5 % 1 sigma) (LV item 3.25) supplies #Besonders auch geeignet für:other-sme# #Also particularly suitable for:other-sme# true none 31712100 Reinraum - tbd nach Zuschlagserteilung & Absprache mit FhI Clean room - to be determined after contract award and consultation with FhI Ringstr. 12 Dresden-Moritzburg 01468 DED2E DEU 2026-11-02+01:00 2027-06-30+02:00