Ramavtal avseende CMP-slurry

KTH ska upphandla ramavtal avseende CMP-slurry för planarisering av kiselkarbid och andra halvledande material. De två slags slurry som används i processen är SC1EN resp. SC-MC-HF 2.0 och dessa används i olika delar av processen. Vi har idag en stabil process med en poleringshastighet om 7 μm/h på Si-sidan och 9 μm/h på C-sidan av kiselkarbidsubstraten och vi når en slutlig ytjämnhet om 0,5 nm RMS.

KTH avser teckna ramavtal, 2 + 2 år, med leverantör av CMP-slurry. SC1EN Polishing Slurry for silicon carbide och SC-MC-HF 2.0 Mechanical Polishing Slurry for Silicon Carbide. Av SC1EN används c:a 300 l/år och av SC-MC-HF 2.0 används c:a 300 l/år.

Förklaring:

Vår utrustning för planarisering av kiselkarbid och andra halvledande material har levererats från företaget S3 Alliance, med utvecklade standardrecept för planarisering som en del av upphandlingen av utrustnigen. De två slags slurry från SINMAT som används i processen är SC1EN resp. SC-MC-HF 2.0 och dessa används i olika delar av processen. Båda är nödvändiga för ett fullgott resultat, och de kan inte bytas ut mot andra produkter utan att ett omfattande processutvecklings- och kvalificeringsarbete måste utföras. SINMATs produkter säljs i Europa av S3 Alliance. Electrumlaboratoriet har upphandlat en utrustning för kemisk mekanisk planarisering (CMP) vid tillverkning av halvledarkomponenter. Som en del i upphandlingen levererades också recept för processer för planarisering av de för oss viktigaste materialen. De recepten är fullt ut baserade på förbrukningsmaterial – polerduk (”pad”) och polervätska (”slurry”) – som föreslagits av leverantören. Dessa ursprungsrecept har vi sedan förfinat genom ytterligare processutveckling som tagit flera personmånader i anspråk. Slurry och pad kan inte ersättas med andra produkter utan att processreceptet görs om i grunden. Ett av de mest framgångsrika utvecklingsprojekten har varit för polering av kiselkarbid och vi har nu etablerat en tvåstegsprocess, med två olika slurries för att i det fösta steget snabbt avverka material och i de andra planarisera ytan. Vi har idag en stabil process med en poleringshastighet om 7 μm/h på Si-sidan och 9 μm/h på C-sidan av kiselkarbidsubstraten och vi når en slutlig ytjämnhet om 0,5 nm RMS. Om en upphandling av slurries leder till att vi blir tvungna att byta slurries innebär det att det recept vi köpt som en del i den ursprungliga upphandlingen blir obsolet, liksom det arbete vi lagt ned på att ytterligare förfina processerna. Vi har ännu inte hittat någon leverantör av slurry för CMP av kiselkarbid som garanterar att i samma process uppnå den kombination av hög nominell avverkningshastighet och god ytjämnhet som vi når idag med den slurry och det recept vi använder.

Visma annons: https://opic.com/id/afwznhfjyi